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忍辱负重!中国光刻机 投资25亿美元仅55nm工艺

  北京清芯华创投资公司投委会主席陈大年夜同博士日前在申报中谈到了中国半导体财产与天下一流水平的差距,此中封装方面差距最小,最快5年追上,半导系统体例造上则必要10-15年,这部分也是国产最弱的一部分了。在半导系统体例造方面,海内工艺最先辈的主如果SMIC中芯国际,28nm已经量产,14nm今年下半年量产。其次便是上海华虹集团,该公司扶植了多个半导系统体例造项目,此中华虹六厂将在明年量产14nm工艺。

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  根据资料,2018年4月3日,华虹集团发布位于无锡的华虹半导体七厂开工。据懂得,华虹无锡集成电路研发和制造基地项目占地约700亩,总投资100亿美元,一期项目总投资约25亿美元,新建一条工艺等级90-65纳米、月产能约4万片的12英寸特色工艺集成电路临盆线,支持5G和物联网等新兴领域的利用。

  华虹无锡基地项目将分期扶植数条12英寸集成电路临盆线。首期项目实施后,将合时启动第二条临盆线扶植。

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  华虹半导体(无锡)有限公司一期工程计划将于2019年上半年完成土建施工,下半年完成净化厂房扶植和动力机电设备安装、通线并慢慢实现达产,估计年产值将达50亿元。

  颠末一年的扶植,华虹方面此前发布无锡的华虹七厂将在2季度搬入机台设备,估计4季度正式开始量产12英寸晶圆,华虹旗下的研发、工程及贩卖团队正在为此做筹备。

忍辱负重!中国光刻机 投资25亿美元仅55nm工艺

  日前华虹无锡项目进入了新阶段,6月6日举行了2英寸临盆线扶植项目首批光刻机搬入典礼,此举标志着华虹七厂扶植上了一个新台阶,为9月建成投片奠定了坚实根基。上午9:30,光刻机搬入典礼正式开始。华虹宏力党委布告、总裁、华虹半导体(无锡)有限公司总经理唐均君主持典礼,总包联合体十一科技党委布告、董事长赵振元,上海建工集团党委副布告、总裁卞家骏,以及设备供应商代表阿斯麦公司(ASML)举世资深副总裁Bert Savonije分手谈话。

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  编辑点评:着实我们会发明很多有趣的留言,在网友留言中很多人都在吐槽,我们总投资100亿美元的光刻机只能临盆低端55纳米的处置惩罚器,我们都知道,28纳米是一样平常路由器的处置惩罚器,假如我们连28纳米都做不了的话,那么要55纳米的光刻机究竟用来做什么呢?

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